%0 Journal Article
%T 电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布
%A 邵永富
%A 陈自姚
%A 彭瑞伍
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度分布测量的影响.在研究半导体和溶液种类的影响时,发现在同一种溶液中,各种GaAs的C-V特性均能符合Mott-Schattky方程式.在上述结果的基础上,我们将电化学C-V法成功地应用于测定P-N,高-低-高结构,GaInAsP发光材料和离子注入样品的载流子浓度分布,得到了满意的结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=69C01628E03CC1CD65189191C221CB14&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=1B64850025D0BBBE&eid=78F0EFE028BD3783&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0