%0 Journal Article
%T 偏离<111>晶向的硅表面层中氧化层错的研究
%A 鲍希茂
%A 嵇福权
%A 黄信凡
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OSF的成核位置.讨论了表面弓形OSF的宽长比.发现随着长度的增长,弓形 OSF的宽长比从 1/2逐渐变为与长度成反比例.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D2BA7CABE156232C9FD883C0390DCA20&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=974CBB04624305A1&eid=334E2BB8B9A55ABB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0