%0 Journal Article
%T GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响
%A 徐温元
%A 孙钟林
%A 王宗畔
%A 李德林
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 研究了以氧、氮或它们的混合气体作为掺杂材料所制备的a-Si 薄膜,并分析了掺杂后对其光电特性的影响.在我们的实验室中,不掺杂的样品是高阻和低光电导的,然而在GD制备过程中引入适量的氧或氮,可使其暗电导和光电导发生很大变化,在合适的条件下,其典型值可分别增加七个和四个数量级.文中给出了暗电导、光电导与掺杂量的关系;不同掺杂材料的电导激活能;红外吸收谱和隙态密度分布曲线等.文章最后对结果作了推测性的讨论.并认为,在GD法制备非晶硅薄膜过程中,微量的氧和氮是导致材料光电特性分散的一个重要因素.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9D7650B5B41DEF71B8C3BCB3859D20F4&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=2BA123C6EB9D54C2&eid=BC084ACE66B62CC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0