%0 Journal Article
%T InSb质子轰击损伤的隔离效应
%A 赵文琴
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 本文研究了高能质子对InSb轰击所引起的损伤的绝缘隔离效应,并将这一效应用于解决InSb红外探测器的光敏面扩大及多元列阵的串音问题.试验是在能量为40keV—2MeV,剂量为10~(13)-10~(16)/厘米~2范围内分别在离子注入机或静电加速器中对 InSb 进行室温下的质子注入.用双晶衍射仪、直径为100微米的小光点设备、串音的电学法测试及高帧速成象仪上检测了损伤隔离效应.实验结果证明了质子轰击损伤隔离是一种优良的电隔离技术,不仅可用于解决InSb红外探测器光敏面扩大及多元列阵探测器的电学串音问题,也是制备平面型器件的优良方法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=72B374E4F9C7AADDD629C1085DFF8810&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F3583C8E78166B9E&eid=659D3B06EBF534A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0