%0 Journal Article %T 用扩散法向单晶硅中引入稀土元素Yb及其若干物理性质的研究 %A 傅春寅 %A 鲁永令 %J 半导体学报 %D 1984 %I %X 稀土元素Yb在1050℃扩散30分钟,已被引进硅中.它在P型硅中形成两个空穴陷阱Ev+0.38eV和 Ev+0.49cV,在N型硅中形成一个电子陷阱 Ec-0.33eV.它们的电激活浓度都在10~(13)cm~(-3)量级. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EBD3CE97FFE0E6D6&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=93661EC4C0CCEA67&eid=DEE640F0CDC9D495&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0