%0 Journal Article
%T SOS膜的铝自掺杂剖面
%A 陈庆贵
%A 蔡希介
%A 史日华
%A 王其闵
%A 陆东元
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用SIMS技术对表面覆盖金的SOS片进行了铝自掺杂剖面研究.结果表明,不同工艺对SOS膜的铝自掺杂剖面曲线影响很大.背面封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线十分陡削,过渡层厚度为450-750A;背面不封闭的SOS片的铝自掺杂剖面曲线不陡削,过渡层厚度为1200-1800A.同时,在过渡层以外背面不封闭的 SOS片中的铝杂质含量比背面封闭的 SOS片高很多.讨论了自掺杂形成的原因并对上述实验结果提出了解释.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7CD715BFE8CBD0F2&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=1C3BB0F444F5E427&eid=2B6C525BCE31A7DA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0