%0 Journal Article
%T CVD法淀积Al_2O_3膜及其与InP、Si的界面性质
%A 袁仁宽
%A 徐俊明
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文介绍了用CVD方法分别在Si和InP上淀积了Al_2O_3膜.并用椭偏仪、高频C-V,准静态C-V、DLTS对Al_2O_3膜的性质及其与Si和InP的界面性质进行了测试分析.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2D9741AD6A6A05F2&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8DDBA6455F2E3ECF&eid=D559883475316B44&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0