%0 Journal Article
%T 分子束外延砷化镓单晶薄膜
%A 孔梅影
%A 孙殿照
%A 黄运衡
%A 梁基本
%A 陈宗圭
%A 李歧旺
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1A737F37E5D3DDF6&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6ED15D8DCB279BC4&eid=F8035C8B7D8A4264&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0