%0 Journal Article
%T GaAs(110)面氧吸附的研究
%A 张开明
%A 叶令
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文用集团模型和电荷自治的EHT方法研究出在GaAs(110)面的吸附.对几种不同模型计算了吸附的结合能,定域态密度,和芯电子的化学位移,通过与实验对比得出,氧在表面As顶吸附的构型最为稳定.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D8703FEC0361FA3E456F06BAC27E6CC8&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=4966445AEEBA9556&eid=F8035C8B7D8A4264&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0