%0 Journal Article
%T 掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究
%A 刘祥林
%A 汪连山
%A 陆大成
%A 汪度
%A 王晓晖
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 研究了用金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法．发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象．研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质．
%K 氮化镓
%K 掺硅
%K MOVPE生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6CAC35016137B70F&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=D45762219109E903&eid=E49BED2EA9A8956B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4