%0 Journal Article
%T 包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟
%A 陈勇
%A 杨谟华
%A 朱德之
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 在分析ＢＪＴ的Ｇ－Ｐ器件模型参数温度效应的基础上，提出了采用自洽模拟和外部控制循环，利用ＰＳＰＩＣＥ对包含自加热效应的ＢＪＴ电路进行直流和瞬态模拟的方法，其模拟结果与实验数据较好吻合．结果表明，直流及小信号下电路的自加热效应显著，而大信号瞬态情形由于器件的大注入引起的非线性饱和效应，使电路自加热效应引入的误差减小．该方法亦可应用于其他器件所组成的电路
%K BJT电路
%K 自动加热效应
%K 电路模拟
%K G－P模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=76842E8888FE9D7A&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F3A3627BFEF439C1&eid=500A64A3035F6B9C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2