%0 Journal Article
%T 半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱
%A 胡绪洲
%A 杨爱明
%A 胡晓春
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这些声子按照不同组合方式形成ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷的全部傅里叶红外吸收峰．半导陶瓷的喇曼背向散射峰也是由这些基本声子组合而成．对比四角和单斜ＺｒＯ２的喇曼特征谱线看出，在未掺杂和用Ｙ２Ｏ３或Ｎｂ２Ｏ５掺杂的半导陶瓷样品中，ＺｒＯ２的晶粒微结构分别属于单斜和四角对称晶系．
%K 半导体陶瓷
%K 红外吸收谱
%K 喇曼散射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D2D4581C29D8E836&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9296A146D1D94BC4&eid=4ECB3941871FD391&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4