%0 Journal Article
%T Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为
%A 沈波
%A 陈鹏
%A 陈志忠
%A 张荣
%A 施毅
%A 关口隆史
%A 角野浩二
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ型位错．研究结果表明，样品中微小Ｐｕｎｃｈｅｄ－ｏｕｔ位错的存在和Ｃｕ杂质在Ｓｉ中的重复成核机制是Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上的主要原因．
%K 硅
%K 铜
%K 铁
%K 金属杂质
%K 沉淀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F558D9966BFA80CA&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F176272DD933A0BB&eid=4A2356A1257A12EB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1