%0 Journal Article
%T 半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响
%A 王桂芬
%A 马根源
%A 张光寅
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94E9EED48829C6773371AAD6BE42C2A1&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=F27A401E323B6FAD&eid=F10601728A1E9BEA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0