%0 Journal Article
%T ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别
%A 黄锡珉
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文通过用真空蒸馏法提纯的硫和硒作为原料,以控制组分分压的升华法生长了高纯的ZnS_xSe_(1-x)(0≤x≤0.125)单晶.以激发光谱,选择激发的光致发光,掺杂和熔融Zn中退火处理等方法鉴别了在低温光致发光中出现的束缚激子谱线.这些谱线是由中性受主束缚的激子复合发射的零声子线(I_1~(deep))和LO声子伴线组成的.用中性受主能级随组分x的增加而深化的模式解释了谱线变宽、强度变化及峰值位移等现象.观察到在ZnSxSe_(1-x)三元系中电子-声子耦合系数(s)随组分X的变化.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0397F38BA8AF5C12&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=9CF7A0430CBB2DFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0