%0 Journal Article
%T 一种高性能16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计与分析
%A 徐葭生
%A 张明宝
%A 杨肇敏
%A 张钟宣
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文描述一种性能较好的16K(2K×8)NMOS-SRAM的设计.该电路采用3μmNMOS双层多晶硅工艺进行制作.对它的结构、存贮单元、灵敏读出放大器以及译码电路等进行了分析和优化.用CAD电路模拟的结果与实测十分接近,取数时间为120ns,工作功耗为150mW.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8FC64ED6E4C3A998&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=03EE8EDD44A3D4BE&eid=93ADA2AA3F969E58&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0