%0 Journal Article
%T 两微米外延N阱CMOS艺的研究
%A 马槐楠
%A 徐葭生
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文描述2μm外延N阱CMOS工艺的研究,在工艺模拟和实验的基础上制定了合理的、可行的工艺流程.在工艺中成功地应用了全离子注入和红外瞬态退火技术.实验结果表明,2μm CMOS 器件具有优良的特性,适合超大规模集成电路的要求.5伏工作电压,21级2μmCMOS反相器环振链的级延时是0.48ns,每级的延时功耗乘积是0.49pJ.P~-/P~+外延层结合N阱伪集电极保护环,可在CMOS电路中最易产生Latch-up的I/O电路部分保证不发生Latch-up.本工艺可以应用于超大规模集成电路的制作.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=88CBFC04AEEBAE98&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=73648F51F187AC5E&eid=05340B75C67FF664&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0