%0 Journal Article
%T 离子注入抗蚀技术
%A 韩阶平
%A 王培大
%A 马俊如
%A 王守武
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文提出了一种用离子注入减慢SiO_2腐蚀速率的新工艺.用不同剂量的各种离子对SiO_2进行注入实验,结果表明,注入离子的剂量越高,SiO_2的腐蚀速率越慢,该工艺的关键是采用了干法腐蚀.这一结果与所报道的离子注入增强腐蚀的结果正好相反.该工艺具有工艺简单,操作方便,分辨率高等优点.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=210DA64344288C555FA36673ABBD182D&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=B4F9D541F855CF96&eid=12AD09BCF4A6E651&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0