%0 Journal Article
%T 不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心
%A 王健强
%A 吴孝慎
%A 李名复
%A 林耀望
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 应用DLTS方法分别对于在氩气、氮气和氢气气氛下生长的 n型 VPE-GaAs材料中形成的深缺陷能级做了研究并进行了比较.由比较结果说明,氩气氛下生长的VPE-GaAs材料,较之其它条件相同但在氮气和氢气气氛下生长的n型VPE-GaAs材料,具有较低浓度的深能级.并且预计AsCl_3-Ga-Ar系统在制做GaAs器件方面具有优越性.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=816F4C221E5F876F0F95CE75E898F55C&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=CF0706A3E35031F6&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0