%0 Journal Article
%T 分子束外延GaAs中的Sn受主态
%A 忻尚衡
%A L.F.Eastman
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰分别为束缚在中性Sn受主上的电子空穴对的辐射复合(S_n~o,X)和自由电子与束缚空穴间的跃迁(D~o,S_n~o).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7C3ED9AC62FD9E3F5CBFDB5C46531E11&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=385E3C2062167B88&eid=AF4A4411BB448A36&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0