%0 Journal Article
%T 非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法
%A 连建宇
%A 廖显伯
%A 郑秉茹
%A 孔光临
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文通过引入一个“电场函数”使非晶硅隙态密度的场效应测量的分析大大简化,并确立了从实验测得的电流-电压曲线极小值来确定电子电导与空穴电导的比值的方法,使对场效应测量结果的分析更加方便和可靠.还从Goodman等所采用的四条隙态密度分布曲线出发,计算出各有关参量,证明了不同态密度分布并不能与同一条电流-电压曲线拟合.这说明,如果采用合理的分析方法,是可以根据场效应测量结果来确定隙态密度分布的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=107839DDD2A9C1609974C437D802CA2B&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=94C357A881DFC066&sid=6313C162FF75889A&eid=CEFF71AEB051114C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0