%0 Journal Article
%T 掺砷锗中基态能级裂距的作用
%A 傅绮英
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 迁移率分析结果表明,在掺砷锗中,砷施主三重态能级与单态能级间的裂距对其低温性能的影响是不可略的.它是引起掺砷锗电阻温度计.在正常的激发自由载流子的电导温度范围内,出现灵敏度起伏的原因.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=543831515A52026D&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=128B7AEF80A42C95&eid=99A964928ADB4E67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0