%0 Journal Article
%T 1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器
%A 王圩
%A 张静媛
%A 田慧良
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D30CB66749B1FEC0&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DC06EBDBAF4E06D3&eid=6D25DD85174CF6DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0