%0 Journal Article
%T GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性
%A 徐仲英
%A 梁基本
%A 许继宗
%A 郑宝真
%A 李玉璋
%A 徐俊英
%A 曾一平
%A 葛惟锟
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文详细研究了GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性.高质量的量子阱材料在低温下具有窄的激子发光谱线,且在宽广的温度范围内保持激子发光特性.本文首次报道了同一样品中来自宽阱和窄阱的发光谱线在不同温度下的竞争现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8CB06A8EA035F27533F5D997A8FBDD78&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=C6EC7357BCACD3A4&eid=CF6CB42CFF3D4C4E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0