%0 Journal Article
%T Si中注Pb的红外瞬态退火
%A 殷士端
%A 张敬平
%A 顾诠
%A 许振嘉
%A 刘家瑞
%A 章其初
%A 李大万
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21ADB71056E3F7186B2EBE72FE163E43&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=38B194292C032A66&sid=51C74DF6A16DA45B&eid=A2745AA1110798CA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0