%0 Journal Article
%T 激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究
%A 戴国瑞
%A 姜喜兰
%A 南金
%A 张玉书
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论
%K 二氧化锡
%K 激光CVD技术
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4597C30E7C20F3A7F0&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=CB3428B1EFB1C133&eid=389DA78D878702A9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1