%0 Journal Article
%T A Novel Technique of Parameter Extraction for Short Channel Length LDD MOSFETs<br>一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法(英文)
%A 于春利
%A 郝跃
%A 杨林安
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 提出了一种适用于短沟道L DD MOSFET的改进型参数提取方法,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法,提取偏压相关参数,保证了线性回归方法的精度和有效性,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑.提取出的参数用于已建立的深亚微米L DD MOSFET的I- V特性模型中,模拟与测试数据的吻合表明了该方法的实用性
%K LDD MOSFET
%K parameter extraction
%K parasitic se ries resistance
%K mobility<br>轻掺杂漏MOSFET
%K 参数提取
%K 寄生串联电阻
%K 迁移率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E53B20C6C66FF51D&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B7C3373069B7AC9F&eid=82A2BA02DFB40363&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8