%0 Journal Article
%T Si中注入Zn的辐射损伤
%A 殷士端
%A 张敬平
%A 顾诠
%A 许振嘉
%A 刘家瑞
%A 章其初
%A 李大万
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=943CC528AEAE66552C24F962B8E5C83F&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=6B3068A7C27BD349&eid=B941678158018439&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0