%0 Journal Article
%T 二元化合物总原子溅射率和刻蚀速率的经验公式
%A 陈国樑
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文给出低能离子法向轰击二元化合物时,总原子溅射率Y和刻蚀速率R_o陆离子能量E变化的经验公式. 计算结果表明:若低能氩离子法向轰击二元化合物,则由经验公式算出的总原子溅射率和刻蚀速率与实验值的最大相对误差小于20％。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DA4DDD38BD5811C2C5B83909E23D730F&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=396DD691E964F390&eid=238BD7580EFCC5AE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0