%0 Journal Article
%T H_2O在Si(100)面上化学吸附的理论研究
%A 曹培林
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文用H_2OSi_(10)H_(12)分子簇模拟H_2O在Si(100)面上的化学吸附,应用ASED-MO方法,计算了总能量面上200个以上点的分子簇总能量.从总能量最小原则得到,H_2O在Si(100)面上是解离吸附(H_(ad)+ OH_(ad)),解离吸附比分子态吸附总能量低5.61eV.解离吸附态的态密度计算结果与 UPS实验也符合得相当好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C288681CFA675EEE&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=7FAAB0292FA0D5D0&eid=F8AEC975DBDD7F2F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0