%0 Journal Article
%T 影响Ar~+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素
%A 黄信凡
%A 鲍希茂
%A 蒋锡平
%A 文婧
%A 褚一鸣
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文就Ar~+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度N_t和界面态陷阱密度N_(it),用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D14732915BDC6913&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=EF9E84B2DA79FF23&eid=984BD2F4D19B9D1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0