%0 Journal Article
%T p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)异质界面分析
%A 陈之章
%A 韩茂畴
%A 王宗畔
%A 徐温元
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文讨论Glass/ITO/p(a-SiC:H)/i(a-Si:H)/n(a-Si:H)/Al结构太阳电池中i层C污染对开路电压Voc、填充因子FF、收集长度L_c及收集效率η的影响,并从机理上做了比较详细地分析.我们的实验结果表明:解决好p/i界面问题和减少i层中C的污染是制备出高效率a-SiC:H窗口非晶硅pin结构太阳电池的关键之一.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1A331B6AE0C649B7&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C7B13290323C226E&eid=FED67FBA0A707330&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0