%0 Journal Article
%T 太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测
%A 蒋四南
%A 范缇文
%A 李成基
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中心部位,存在一个大约5μm宽的高完整区.远离中心部位,空间材料的完整性降低,出现了大量位错并伴有微缺陷.实验结果表明:在微重力条件下生长化合物半导体GaAs对在其中的杂质均匀分布有利.在太生长时出现的大量位错和微缺陷,并不是在生长时由于失重所致,而是在太空生长时温度失控所引起的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6E300ED2898C7BB46515C727C97BDED3&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=228A710F49B6CE58&eid=35FC3610259C2B32&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0