%0 Journal Article
%T 退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响
%A 吴彬
%A 王万录
%A 廖克俊
%A 张振刚
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜（简称CIO膜）的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系，包括透射率、折射率、消光系数和薄膜载流于浓度的讨论．研究发现退火处理能引起CIO薄膜透射率、光隙能的增加以及折射率、消光系数的减小，并且使膜的短波吸收边“蓝移”．另外还能明显地提高膜的电导率．文中根据退火处理引起氧空位增加、电子陷阱减小等效应以及薄膜的能带结构和晶格拓展的理论分析讨论了实验所得结果．
%K 退火处理
%K CIO膜
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9D8E22D18D969D3AC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=70AC2EF7F2065E09&eid=7CE3F1F20DE6B307&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=11&reference_num=2