%0 Journal Article
%T 温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
%A 李国华
%A 朱作明
%A 刘南竹
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 王杰
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格的１０～３００Ｋ的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ的带隙在１０Ｋ时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ合金的带隙小，而在３００Ｋ时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中在１３０Ｋ附近会发生势阱层和势垒层的反转．在ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ超晶格中观测到了这种反转但发生在８０Ｋ附近．超晶格中Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ层的应变可能是反转温度变低的原因．
%K 半导体材料
%K 超晶格
%K 势阱层
%K 势垒层
%K 温度
%K ZnSe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0ACDD6E1D481E21B454&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=D4A72ABDCEDCE1BD&eid=9822743C2D2BE348&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5