%0 Journal Article
%T SiC肖特基势垒二极管的研制
%A 张玉明
%A 张义门
%A 罗晋生
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ型６Ｈ-ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析，Ｉ-Ｖ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性，热电子发射是其主要的输运机理，理想因子为１.２３，肖特基势垒高度为１.０３ｅＶ，开启电压约为０.５Ｖ．
%K 肖特基势垒
%K 二极管
%K 碳化硅
%K 研制
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6410B78349CD2AD3&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FC27EB98080C89E6&eid=42AB3C691163F5B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=8&reference_num=2