%0 Journal Article
%T 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究
%A 雷红兵
%A 杨沁清
%A 王启明
%A 周必忠
%A 肖方方
%A 吴名枋
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4EBA65EB2244D634&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=2E01F39B6CBD53DE&eid=50EA2A80A7D254EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0