%0 Journal Article
%T 多孔硅中的电子激发态及其光谱研究
%A 薛肪时
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的高能激发态．理论计算表明，随着电子能量的升高△波和Г波之间产生了极强的相互耦合，形成一对强△态和强Г态．这两种状态分别被限制在中心硅丝和表面氧化硅层中，从而产生实验中观察到的量子限制态和非量子限制态．在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元，得出了跃迁选择定则．强△态与Г态间的跃迁几率很小，在俘获电子以后可以构成一种元激发陷阶,运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰．
%K 多孔硅
%K 电子激发态
%K 光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BDD2B41B609FFCC4&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=38B194292C032A66&sid=8575BEDA702C4B7C&eid=BBF7D98F9BEDEC74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=4