%0 Journal Article
%T 离子辐照对多孔硅性质的影响
%A 杨海强
%A 阎锋
%A 官浩
%A 鲍希茂
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．
%K 多孔硅
%K 性能
%K 离子辐照
%K 离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EE2FEBA97D6A3D2A&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=03EE8EDD44A3D4BE&eid=39E48869A719B9DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3