%0 Journal Article
%T 多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光
%A 王燕
%A 廖显伯
%A 潘广勤
%A 孔光临
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．
%K 光致发光
%K 硅
%K 薄膜
%K PECVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D9AEBE395DAC47FF&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1FA4E9C3E6E88FC8&eid=6A9657F54F754BF6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3