%0 Journal Article
%T 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究
%A 吴正龙
%A 姚振钰
%A 刘志凯
%A 张建辉
%A 秦复光
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
%K 金属硅化物
%K 离子束淀积
%K 钴
%K 硅－氧化硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79C3CFB1F5BCA1DD&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=BF1CF7F9466F9169&eid=512771C17A2FFC1B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7