%0 Journal Article
%T 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响
%A 张兴宏
%A 程知群
%A 夏冠群
%A 徐元森
%A 杨玉芬
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ直流输出特性的影响．考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小．
%K HEMT
%K 界面态
%K 直流输出
%K AlGaAs
%K GaAs
%K 晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6C1173BA05781D1A&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A73A882009D0AEFE&eid=3A834AEE2C42102E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=6