%0 Journal Article
%T 用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究
%A 杨杰
%A 阎忻水
%A 陶琨
%A 范玉殿
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=117253F4CD749E38&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FF58680609C9D068&eid=92DA076AF6760FAC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0