%0 Journal Article
%T 半导体化合物靶中射程参数的分子轨道法处理
%A 王德宁
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文用分子轨道法处理半导体化合物靶中射程参数问题,提出了理论模型和计算方法. 处理中发现Ⅲ-Ⅴ族化合物一般呈正偏离偏差,Ⅱ-Ⅵ族化合物呈负偏离偏差.且发现偏离系数γ只与靶的化学键有关,而在一定的能量范围内,与注入能量及离子的关系不大. 对于呈闪锌矿和纤锌矿的半导体化合物,本文用sp~3杂化轨道处理它们的约化重叠积分S_(AB)问题,得出了普适的离子性△与γ系数关系,发现Ⅲ-Ⅴ族化合物的S_(AB)呈正值,而Ⅱ-Ⅵ族化合物的S_(AB)呈负值,这是引起γ不同的主要原因之一. 文内对呈负偏离的He~+→CdS、CdTe,H~+→CdTe及B~+→CdHgTe系统,正偏离的Si~+→GaAs,Li~+→Al_2O_3,Be~+→InP和 N~+→GaP系统的 Se(E)和射程参数 R_p等实测值与计算值作了比较,均得到了满意结果.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=564CA81402C26CC4109D68C92927248A&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=9296A146D1D94BC4&eid=B99A53AADE50D922&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0