%0 Journal Article
%T 多晶硅膜的高压氧化
%A 张爱珍
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了(111)-Si 和(100)-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t_1变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x_(pod)/x_(SOM)厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比(111)-Si快,但加速氧化的现象小得多.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=44BE323674CC1BD2&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=E158A972A605785F&sid=BD7D27247C63490C&eid=78BF76CF5B7CB0F2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0