%0 Journal Article
%T 铝-硅和金-硅的接触电势差
%A 陆德仁
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用C-V技术测量了铝膜和金球探针作为电极的MOS系统接触电势差,MOS系统的衬底包括(100)和(111)两种取向的n型和P型硅单晶片,SiO_2膜用热氧化工艺生长.测量结果表明,用C-V技术测到的铝-硅和金-硅接触电势差比用光发射方法测到的数据均大了0.35伏左右.作者认为,在研究MOS系统不涉及光的电学现象,需要接触电势差时,最好采用C-V技术测出的数据.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D1C98C8DFDD692C85649E52B023CCD44&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=87545994EC2C1F12&eid=EE23223CE4332BD7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0