%0 Journal Article
%T LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨
%A 周伯骏
%A 吴让元
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本义介绍了在LPE-GaAs表面出现的弯月线受片子脱离生长液的速度、方向、温度、气氛中的砷分压以及衬底和液槽框底之间的间隙的影响.根据这些现象,提出了形成弯月线的原因——“半周线瞬时局部回溶”的设想.用它能解释有关的实验现象.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6461503B4A80B95B9A09DE3FA649D575&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=396DD691E964F390&eid=4F0B2F798E08B761&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0