%0 Journal Article
%T 硅耗尽表面准二维系统室温电子隧道能谱
%A 李志坚
%A 周海平
%A 马鑫荣
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 用一种新的隧道注入机构,研究了半导体表面耗尽层准二维系统的电子能谱.对Si(100)表面,在室温下,确定出了多达10个以上的子带能量.给出了测量的理论分析和实验方法.实测结果表明,理论与实验符合得相当好.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=57CE3A9C100E2BB42C2A966DC980F403&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=38B194292C032A66&sid=FBCA02DBD05BD4EA&eid=5B5B75F4854B8331&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0