%0 Journal Article
%T 在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究
%A 刘宏勋
%A 王舒民
%A 江晓松
%A 章蓓
%A 虞丽生
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文报道了在710℃下Al_xGa_(1-x)As过冷式液相外延的短时间生长特性.在710℃下,降温速率为 0.45℃/分钟时“流动”机制被抑制.短时间生长以“表面反应”机制为主.产生了较大的等效过冷度,它是薄层生长的主要障碍.测得在710℃下As在Ga溶液中的扩散系数为2.3×10~(-3)cm~2/s.并测得界面过渡层厚度为170A.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79F9718DA13EE7635EC8150C07C23137&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=94C357A881DFC066&sid=DFBC046213B3DD86&eid=B34BDD6A690A04C0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0