%0 Journal Article
%T GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析
%A 俞冠高
%A 金立荣
%A 张崇仁
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 由于多层外延材料浓度和厚度的不均匀性,实验二极管的击穿电压V_B有较大的差别.为此对给定的掺杂分布进行V_B、耗尽宽度及电场的分析和计算.从实验中找到室温下掺杂分布和伏安特性之间的对应关系.实际选择管芯时,应根据击穿电压值和大电流下的伏安特性曲线进行挑选.这种挑选管芯的方法已在器件批量生产中应用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C92C0E8C4A872526D1F7AFFEB4C7CC87&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=E158A972A605785F&sid=F416A9924F23B020&eid=EC34D52BE81085CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0